холлівська різниця потенціалів поміщається перпендикулярний магнітна індукція ширина пластини однорідний ток концентрація носіїв

холлівська різниця потенціалів поміщається перпендикулярний магнітна індукція ширина пластини однорідний ток концентрація носіїв


задача 10966

Тонка пластинка з кремнію шириною b = 2 см поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля (B = 0,5 Т). При щільності струму δ = 2 мкА/мм2, спрямованої уздовж пластини, холлівська різниця потенціалів виявилася UH = 2,8 В. Визначити концентрацію n носіїв струму.

задача 13549

Через перетин мідної пластинки товщиною d = 0,2 мм пропускається струм I = 6 А. Платівка поміщається в однорідне магнітне поле з індукцією B = 1 Тл, перпендикулярне ребру пластинки і напрямку струму. Вважаючи концентрацію електронів провідності рівною концентрації атомів, визначте поперечну (холловську) різницю потенціалів, що виникає в платівці. Щільність міді ρ = 8,93 г/см3.

задача 17009

Кремнієва пластина шириною b = 2 см поміщена в однорідне магнітне поле з індукцією В = 0,1 Тл перпендикулярно до ліній магнітної індукції. Холлівських різниця потенціалів Ux = 0,368 В виникає на гранях пластини при протіканні струму з щільністю j = 0,5 А/мм2 вздовж пластини. Визначити концентрацію носіїв струму.

задача 17095

По мідній пластині довжиною 10 см, шириною 2 см і товщиною 1 мм протікає електричний струм силою 4 А. Різниця потенціалів при цьому на кінцях пластини дорівнює 5·10–4 В. Якщо, не вимикаючи струму, помістити пластину у перпендикулярне їй (паралельне короткій стороні) однорідне магнітне поле з індукцією 0,1 Тл, то на протилежних бічних гранях виникне холлівська різниця потенціалів 5·10–8 В. Визначити концентрацію вільних електронів в міді і їх рухливість.

задача 19461

Тонка пластинка з кремнію шириною 3 мм поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля 0,5 Тл. При щільності струму 2 мкА/мм2 холлівська різниця потенціалів дорівнює 58 мВ. Визначте питому електропровідність напівпровідника і концентрацію вільних електронів і дірок. Рухливості носіїв зарядів: електронів μn = 0,13 м2/(В·с), дірок μp = 0,05 м2/(В·с). Ширина забороненої зони кремнію 1,1 еВ.

задача 19570

Тонка пластинка з германію шириною 2 мм поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля В = 0,4 Тл. При щільності струму δ = 3 мкА/мм2, спрямованої уздовж пластини, холлівська різниця потенціалів дорівнює 0,4 В. Визначити 1) концентрацію носіїв струму заряду; 2) питому електропровідність напівпровідника, якщо напруженість електричного поля 100 В/м.

задача 26386

Перпендикулярно однорідному магнітному полю, індукція якого дорівнює 0,1 Тл, поміщена тонка пластинка з домішкового кремнію. Ширина пластинки дорівнює 4 см. Визначити щільність струму, при якій холлівських різниця потенціалів досягне значення 0,5 В. Постійну Холла для кремнію прийняти рівною 0,3 м3/Кл.